Micron представила неубиваемую высокоскоростную альтернативу NAND-памяти

Сам тип памяти FeRAM (Ferroelectric RAM) не является чем-то новым, но Micron удалось значительно его усовершенствовать.

О том, что Micron переизобрела FeRAM-память, стало известно только на днях, хотя презентация разработки произошла еще в декабре прошлого года в рамках мероприятия IEDM 2023. FeRAM производится уже более 20 лет, но причиной непопулярности этой разновидности памяти была малая емкость кристаллов — от 8 до 128 Мбит. Micron же удалось повысить планку до 32 Гбит, что открывает перед компьютерной индустрией совершенно иные перспективы.

Дело в том, что FeRAM быстрее популярной нынче NAND-памяти — по показателям скоростей чтения/записи она близка к оперативной DRAM. При этом она является энергонезависимой, износостойкой, не боится радиационного и электромагнитного излучений, скачков температуры. Все эти преимущества делают ее идеальным кандидатом на роль хранилища данных.

В Micron рассказали, что опытный образец чипа с FeRAM-памятью смог выдержать до 10 в 15-й степени циклов перезаписи, что не идет ни в какое сравнение со средними 10 000 циклами перезаписи у NAND. Более того, разработка Micron позволяет достигать скоростей записи 70−120 нс, тогда как у Nand этот показатель близок к 300 мкс — разница минимум в 2500 раз! При этом заявляется о возможности хранения данных без подачи питания на чипы около 10 лет.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *